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气相沉积反应器系统及其方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201080020505.4
  • IPC分类号:H01L21/205;H05H1/34
  • 申请日期:
    2010-03-16
  • 申请人:
    奥塔装置公司
著录项信息
专利名称气相沉积反应器系统及其方法
申请号CN201080020505.4申请日期2010-03-16
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-04-18公开/公告号CN102422390A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/205IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;5;H;1;/;3;4查看分类表>
申请人奥塔装置公司申请人地址
北京市昌平区育知东路30号院1号楼6层3单元611 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人紫石能源有限公司当前权利人紫石能源有限公司
发明人何甘;雷格·东克;凯思德·索拉布吉;罗杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯
代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司代理人张瑞;郑霞
摘要
本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置和方法。在一个实施方案中,CVD反应器具有反应器盖子组件,反应器盖子组件被布置在反应器体上并且包括被连贯地且线性地布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件、隔离器组件、第二淋喷头组件和排气组件。CVD反应器还包括被布置在反应器体的相对端上的第一面板和第二面板,其中第一淋喷头组件被布置在第一面板和隔离器组件之间并且排气组件被布置在第二淋喷头组件和第二面板之间。反应器体具有被布置在晶片承载器轨道上的晶片承载器,以及被布置在晶片承载器轨道下方并且包括多个灯的灯组件,灯组件可以被用于加热被布置在晶片承载器上的晶片。

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