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一种含碳纳米管碳壳包覆的硅负极材料及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN202010133902.8
  • IPC分类号:H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525
  • 申请日期:
    2020-03-02
  • 申请人:
    吉林师范大学
著录项信息
专利名称一种含碳纳米管碳壳包覆的硅负极材料及其制备方法
申请号CN202010133902.8申请日期2020-03-02
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2020-07-10公开/公告号CN111403699A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/36IPC分类号H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5查看分类表>
申请人吉林师范大学申请人地址
吉林省四平市铁西区海丰大街1301号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人吉林师范大学当前权利人吉林师范大学
发明人聂平;赵翠梅;芮秉龙;常立民;徐天昊;薛向欣;王海瑞
代理机构长春吉大专利代理有限责任公司代理人李泉宏
摘要
本发明公开了一种含碳纳米管碳壳包覆的硅负极材料及其制备方法,属于锂离子电池负极材料技术领域,本发明的目的是解决现有技术制备的硅碳材料存在包覆不均匀,石墨化程度低的问题,本发明中硅被包覆在长满碳纳米管的多面体碳壳中,其制备方法是:以六水硝酸钴,二甲基咪唑为原料,硅作为前驱体,采用共沉淀法在室温的条件下经过24h反应得到硅‑金属有机框架材料;将得到的前驱体在600‑900℃的氩氢混合气氛下处理3.5h,得到碳纳米管修饰的硅碳负极材料,产物包覆效果好,并且展示了优异的电化学性能。此材料结构中的表面碳层有效抑制了硅的体积膨胀,碳层表面的碳纳米管构建了三维导电网络,改善了材料的电子导电性。

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