一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110281429.2
IPC分类号：H01L31/18;H01B13/00;G03F7/20
申请日期：
2021-03-16
申请人：
哈尔滨工业大学

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专利名称	一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法
申请号	CN202110281429.2	申请日期	2021-03-16
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-29	公开/公告号	CN113054058A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	田浩;李帅;谭鹏;孟祥达
代理机构	哈尔滨华夏松花江知识产权代理有限公司	代理人	侯静

摘要

一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法，本发明涉及一种柔性疏水基衬底上图案化刻蚀PEDOT:PSS透明电极的紫外光刻方法。本发明的目的是要解决现有在柔性疏水基衬底上旋涂水基溶液时，难实现良好的图案化刻蚀的问题，本发明在清洗后的基底上旋涂聚酰亚胺，固化后再旋涂光刻胶，烘干后得到光刻胶层；使用紫外光刻机曝光将光刻胶层图案化，烘干后获得带有预设图案光刻胶层的基底；在带有预设图案化光刻胶层的基底上旋涂法沉积PEDOT:PSS薄膜，浸泡在有机溶剂中，超声清洗，氮气吹干即完成。本发明应用于有机薄膜电极加工刻蚀及应用研究领域。

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