制造半导体器件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610076376.6
IPC分类号：H01L21/60;H01L21/48;H01L23/495;H01L23/50
申请日期：
2006-04-20
申请人：
株式会社瑞萨科技

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著录项信息

专利名称	制造半导体器件的方法
申请号	CN200610076376.6	申请日期	2006-04-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-11-01	公开/公告号	CN1855409
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/60 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;H;0;1;L;2;3;/;5;0查看分类表>
申请人	株式会社瑞萨科技	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	天野贤治;长谷部一
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	王茂华

摘要

公开了一种制造半导体器件的方法。根据此方法，提供一种引线框架，其中形成在每个悬置引线(1e)上的用于导线连接的镀银的薄片侧端部的厚度小于形成在每个引线上的镀银的厚度。之后，将半导体芯片安装到薄片上。在这种情况下，由于在悬置引线(1e)上的镀银的整个表面处在挤压状态，所以可防止当把半导体芯片安装到薄片上时半导体芯片与镀银的接触。从而，在管芯键合工艺中，半导体芯片可以在薄片上滑动，而不与镀银接触，并且可以减少在将半导体芯片安装到薄片上时对半导体芯片的损坏，并因此可以防止当装配半导体器件时芯片的破裂或碎裂。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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