低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管

发明专利有效专利

申请号：
CN03122982.4
IPC分类号：H01L21/20;H01L21/324;H01L21/311;H01L29/786
申请日期：
2003-04-23
申请人：
友达光电股份有限公司

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专利名称	低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管
申请号	CN03122982.4	申请日期	2003-04-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-10-27	公开/公告号	CN1540719
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/20 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/20 半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人	友达光电股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路一号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	友达光电股份有限公司	当前权利人	友达光电股份有限公司
发明人	陈韵升
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	王学强

摘要

一种低温多晶硅薄膜的制造方法，其方法首先在基板上形成一层非晶硅层，接着，对非晶硅层进行回火制程，使得非晶硅层转变成多晶硅层(多晶硅薄膜)，其中在回火的过程中，在多晶硅层的表面会形成数个突起物。接着，对多晶硅层进行表面处理步骤，然后再对多晶硅层进行另一次的回火制程。利用本发明的方法所形成的多晶硅层其表面的突起物的尺寸明显变小，所以可以解决现有技术中突起物过大且大小不一致的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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