半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910007170.1
IPC分类号：--
申请日期：
2009-02-13
申请人：
株式会社日立制作所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN200910007170.1	申请日期	2009-02-13
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-07	公开/公告号	CN101552321
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社日立制作所	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社日立制作所	当前权利人	株式会社日立制作所
发明人	黑土健三;寺尾元康;高浦则克;藤崎芳久;小野和夫;屉子佳孝
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	杨宏军

摘要

固体电解质存储器存在因反复重写导致固体电解质中的离子A量及电极的形状发生变化，因此难以稳定地重写的问题。本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置利用固体电解质层的电阻变化来存储信息或者使电路连接发生变化，其中，使固体电解质层的组成为例如Cu－Ta－S，与其邻接或接近的离子供给层的组成为Cu－Ta－O，由离子供给层供给的离子在固体电解质层内形成导电通路，从而根据电阻高低存储信息，通过施加电脉冲，能够使电阻发生变化。上述离子供给层是具有例如Cu－Ta－O＝1∶2∶6的组成比的结晶，能够稳定地进行重写动作。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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