加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

离子注入装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810130871.X
  • IPC分类号:H01J37/317;H01L21/265
  • 申请日期:
    2008-08-21
  • 申请人:
    恩益禧电子股份有限公司
著录项信息
专利名称离子注入装置
申请号CN200810130871.X申请日期2008-08-21
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2009-02-25公开/公告号CN101373694
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01J37/317IPC分类号H;0;1;J;3;7;/;3;1;7;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;5查看分类表>
申请人恩益禧电子股份有限公司申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社当前权利人瑞萨电子株式会社
发明人池田稔;饭田敏雄
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人陆锦华;谢丽娜
摘要
旨在提供一种延长下述期限的离子注入装置,即在所述期限中,可以避免由于离子物典型地到和从形成离子束的束形状的通孔的内表面的沉积和释放而导致的处理目标的失败,降低更换孔部件的频率,从而改进生产率,一种孔部件,其至少在通孔的内表面的一部分中形成束形状并具有与离子束相对的锥面,并且具有厚热喷涂膜,形成所述热喷涂膜从而覆盖通孔的内表面和内表面周围。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供