加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

具有渐变结深的芯片终端结构及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910800848.5
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L21/266
  • 申请日期:
    2019-08-28
  • 申请人:
    飞锃半导体(上海)有限公司
著录项信息
专利名称具有渐变结深的芯片终端结构及其制造方法
申请号CN201910800848.5申请日期2019-08-28
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-03-05公开/公告号CN112447820A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;6查看分类表>
申请人飞锃半导体(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区南汇新城镇环湖西二路888号C楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人飞锃半导体(上海)有限公司当前权利人飞锃半导体(上海)有限公司
发明人陈伟钿;张永杰;周永昌;李浩南
代理机构深圳市六加知识产权代理有限公司代理人王媛
摘要
本发明公开具有渐变结深的芯片终端结构及其制造方法。芯片终端结构围绕器件区设置。芯片终端结构包括JTE区和多个环区,JTE区和多个环区设置在半导体层。半导体层具有第一导电类型并且包括第一面和与第一面相对的第二面,JTE区和多个环区具有第二导电类型并且从第一面朝向第二面的方向延伸。沿器件区朝向芯片终端结构的方向,多个环区中每个环区的结深逐渐减小。本发明还公开用于制造具有渐变结深的芯片终端结构的方法。根据本发明的芯片终端结构具有更低的电场峰值和更均匀的电场分布,能提高半导体器件的反向击穿电压。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供