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一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310673011.1
  • IPC分类号:H01L29/872;H01L29/40;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/28
  • 申请日期:
    2013-12-12
  • 申请人:
    天津中环半导体股份有限公司
著录项信息
专利名称一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法
申请号CN201310673011.1申请日期2013-12-12
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-03-12公开/公告号CN103633151A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/872
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人天津中环半导体股份有限公司申请人地址
天津市滨海新区新技术产业园区华苑产业区(环外)海泰东路12号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津中环半导体股份有限公司当前权利人天津中环半导体股份有限公司
发明人陈海洋;王云峰;董彬;石会平
代理机构天津中环专利商标代理有限公司代理人王凤英
摘要
本发明涉及一种中高压肖特基二极管芯片结构及其制备方法。在中高压肖特基二极管芯片结构中,P型扩散区宽度为25~40um;金属场版的宽度为25~35um;外延厚度为16~30um;电阻率为2~5ohm.cm。本发明同时采取对关键工艺进行调整,以达到提高封装后器件性能的目的。方法是:1、通过湿法氧化,在P型区注入前形成厚度为650埃的牺牲氧化硅。2、在P型区域注入杂质数量1X1014。3、通过湿法氧化、推进形成P型区深度为8um。4、在势垒金属蒸发前,采用双氧水对硅片表面颗粒杂质进行清洗。本发明在不提高生产成本的情况下,使芯片的封装良率以及可靠性性能得到明显提高,从而增强了产品的市场竞争力。

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