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一种球形羟基氧化钴的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210578760.1
IPC分类号：H01M4/52
申请日期：
2012-12-28
申请人：
北京当升材料科技股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种球形羟基氧化钴的制备方法
申请号	CN201210578760.1	申请日期	2012-12-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-07-02	公开/公告号	CN103904323A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/52 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕 H01M4/48 无机氧化物或氢氧化物的〔2，2010.01〕 H01M4/52 镍、钴或铁的〔2，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;5;2查看分类表>
申请人	北京当升材料科技股份有限公司	申请人地址	北京市丰台区南四环西路188号总部基地18区21号楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京当升材料科技股份有限公司	当前权利人	北京当升材料科技股份有限公司
发明人	宋顺林;郑长春;刘亚飞;陈彦彬
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	陶敏;黄健

摘要

本发明公开了一种球形羟基氧化钴的制备方法，该产品可直接作为钴酸锂制备的原材料。采用湿法工艺并同时通过掺杂微量金属元素提高产品循环、电压等相关性能，方法简单、过程无污染，且产品掺杂元素分布均匀、密度高、球形度好。

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