一种锂离子电池用硅材料及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201811293432.0
IPC分类号：H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M10/0525
申请日期：
2018-10-31
申请人：
深圳市德方纳米科技股份有限公司

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专利名称	一种锂离子电池用硅材料及其制备方法
申请号	CN201811293432.0	申请日期	2018-10-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-02-01	公开/公告号	CN109301228A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/36 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/36 作为活性物质、活性体、活性液体的材料的选择〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;5;8;3;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5查看分类表>
申请人	深圳市德方纳米科技股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区创盛路1号康和盛大楼223-224 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市德方纳米科技股份有限公司	当前权利人	深圳市德方纳米科技股份有限公司
发明人	尚伟丽;孔令涌;李洁凤;任望保
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	郝传鑫;熊永强

摘要

本发明公开了一种锂离子电池用硅材料，包括含硅基体，含硅基体包括主体和设置在主体表面且向外延伸的无规则凸起，主体的表面和内部中的至少一处设有多孔结构，多孔结构的平均孔径为10‑500nm；含硅基体是由多孔的含硅材料经膨胀得到。本发明提供的锂离子电池用硅材料具有独特的结构，提高了硅材料作为负极材料时的循环性能，同时提高了硅材料的压实密度。本发明还提供一种锂离子电池用硅材料的制备方法，包括(1)将含硅材料进行孔蚀或构筑，得到多孔的含硅材料；(2)将多孔的含硅材料与加入至反应釜中，在0.5‑5.0Mpa的压力下和200‑400℃的温度下反应0.5‑2h，得到锂离子电池用硅材料。该制备方法简单易操作。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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