发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010448749.8
IPC分类号：H01L33/44;H01L33/00;H01L21/677
申请日期：
2020-05-25
申请人：
台湾爱司帝科技股份有限公司

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专利名称	发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法
申请号	CN202010448749.8	申请日期	2020-05-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-12	公开/公告号	CN113497170A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/44 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/44 以涂层为特征的，例如钝化层或防反射涂层〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;7查看分类表>
申请人	台湾爱司帝科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾爱司帝科技股份有限公司	当前权利人	台湾爱司帝科技股份有限公司
发明人	廖建硕
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	黄隶凡

摘要

本发明公开一种发光二极管芯片结构以及芯片移转系统与方法。芯片移转系统包括液体容置槽、承载基板及连接层移除模块。多个发光二极管芯片结构随机分布在液态物质内。发光二极管芯片结构通过承载基板的黏附以从液体容置槽移转到黏着基板上，再从黏着基板移转到电路基板上。连接层移除模块设置在多个发光二极管芯片结构的上方。每一发光二极管芯片结构包括发光二极管芯片、金属材料层及连接于发光二极管芯片与金属材料层间的可移除式连接层。借此，发光二极管芯片结构能通过承载基板与黏着基板的配合从液体容置槽移转到电路基板上，且可移除式连接层能通过连接层移除模块被移除，所以金属材料层能随着可移除式连接层的移除而脱离发光二极管芯片。

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