用于优化STT-MRAM尺寸和写入误差率的装置和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201380079115.8
IPC分类号：G11C11/15
申请日期：
2013-09-27
申请人：
英特尔公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	用于优化STT-MRAM尺寸和写入误差率的装置和方法
申请号	CN201380079115.8	申请日期	2013-09-27
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-04-13	公开/公告号	CN105493189A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/15 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/02 应用磁性元件的 G11C11/14 应用薄膜元件的 G11C11/15 应用多层磁性层的（G11C 11/155优先）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;1;5查看分类表>
申请人	英特尔公司	申请人地址	美国加利福尼亚变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	英特尔公司	当前权利人	英特尔公司
发明人	S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;I·A·扬
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	陈松涛;王英

摘要

描述了一种装置，其包括：第一选择线；第二选择线；位线；第一位单元，其包括电阻式存储器元件和晶体管，所述第一位单元耦合到所述第一选择线和所述位线；缓冲器，其具有耦合到所述第一选择线的输入端、以及耦合到所述第二选择线的输出端；以及第二位单元，其包括电阻式存储器元件和晶体管，所述第二位单元耦合到所述第二选择线和所述位线。描述了一种磁随机存取存储器(MRAM)，包括：多个行，每行包括多个位单元和多个缓冲器，每个位单元具有耦合到晶体管的MTJ器件，每个缓冲器用于为所述多个位单元中的一组位单元缓冲选择线信号；以及多条位线，每行在所述行的所述多个位单元之间共享单条位线。

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