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制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底

发明专利无效专利

申请号：
CN201080023860.7
IPC分类号：H01L21/02;C30B29/36;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78
申请日期：
2010-09-27
申请人：
住友电气工业株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底
申请号	CN201080023860.7	申请日期	2010-09-27
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-05-09	公开/公告号	CN102449734A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	住友电气工业株式会社	申请人地址	日本大阪府大阪市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	住友电气工业株式会社	当前权利人	住友电气工业株式会社
发明人	原田真;佐佐木信;西口太郎;玉祖秀人;并川靖生
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	陈海涛;樊卫民

摘要

本发明提供一种制造易于具有大直径的碳化硅衬底(1)的方法，所述方法包括：准备多个SiC衬底(20)的步骤，所述多个SiC衬底(20)各自由单晶碳化硅制得；以及以当俯视观察时所述多个SiC衬底(20)并排排列的方式将所述多个SiC衬底(20)的端面(20B)相互连接的步骤。

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