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IGBT背面金属化退火的工艺方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510270323.7
  • IPC分类号:H01L29/40
  • 申请日期:
    2015-05-25
  • 申请人:
    上海华虹宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称IGBT背面金属化退火的工艺方法
申请号CN201510270323.7申请日期2015-05-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-10-21公开/公告号CN104992965A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/40IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人马彪
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人丁纪铁
摘要
本发明公开了一种IGBT背面金属化退火的工艺方法,包含:在正面工艺完成之后,进行背面减薄、离子注入及退火工艺;进行90秒1:100缓冲氢氟酸清洗;形成Al、Ti、Ni、Ag的背面金属;将硅片与硅片背面紧贴,采用350摄氏度60分钟的常压炉管工艺。本发明工艺在保证硅片背面金属接触电阻较低的前提下避免了金属剥离的问题,使IGBT器件具有较高的可靠性。

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