高压P型LDMOS器件及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210174552.5
IPC分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
申请日期：
2012-05-30
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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专利名称	高压P型LDMOS器件及制造方法
申请号	CN201210174552.5	申请日期	2012-05-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-18	公开/公告号	CN103456784A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/78 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	邢超;刘剑;孙尧
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种高压P型LDMOS器件，是利用浅槽隔离结构刻蚀工艺来改善其击穿电压的方法，将高压PLDMOS的漏扩展区P型阱的注入能量微调，使垂直方向参杂浓度的峰值位于硅片中0.3μm～0.5μm深度，与浅槽隔离结构刻蚀深度相近，通过浅槽隔离结构刻蚀，可使浅槽隔离结构下方的P型阱的掺杂浓度降低，通过后续的热推进工艺，可在器件漏端形成台阶状的P型阱，靠近N型阱的P型阱区域浓度低、结深较浅；漏端下方的P型阱区域浓度高、结深较深。这种新的结构可以分别优化水平方向的PN结构的击穿电压和垂直方向的PNP结构的穿通电压，使器件的击穿电压提高，比导通电阻减小。本发明还公开了所述高压P型LDMOS器件的制造方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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