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判断光刻系统的照射器的照射强度轮廓的装置及方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200580013170.2
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2005-04-20
  • 申请人:
    先进微装置公司
著录项信息
专利名称判断光刻系统的照射器的照射强度轮廓的装置及方法
申请号CN200580013170.2申请日期2005-04-20
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-07-11公开/公告号CN1997941
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人先进微装置公司申请人地址
英属开曼群岛大开曼岛 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格罗方德半导体公司当前权利人格罗方德半导体公司
发明人C·A·斯彭斯;T·P·卢坎奇;L·卡波迪耶奇;J·赖斯;S·N·麦高恩
代理机构北京戈程知识产权代理有限公司代理人程伟
摘要
一种产生照射器(14)的照射强度轮廓的系统(30)及方法,该照射器(14)形成投射光刻系统(10)的一部分。投射由该照射器产生的辐射至具有多个开孔(34)的照射轮廓掩膜(32)上,使得每个开孔都递送该辐射的特定部分。检测辐射的每个特定部分的强度,然后组合而形成照射强度轮廓。

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