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MEMS面内位移测量方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510644305.0
  • IPC分类号:G01B11/02;B81B7/02
  • 申请日期:
    2015-10-08
  • 申请人:
    重庆平伟实业股份有限公司
著录项信息
专利名称MEMS面内位移测量方法
申请号CN201510644305.0申请日期2015-10-08
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-12-30公开/公告号CN105203033A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01B11/02IPC分类号G;0;1;B;1;1;/;0;2;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人重庆平伟实业股份有限公司申请人地址
重庆市梁平县梁山镇皂角村双桂工业园区 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人重庆平伟实业股份有限公司当前权利人重庆平伟实业股份有限公司
发明人罗元;赖翔;张毅;李述洲;王兴龙
代理机构重庆市前沿专利事务所(普通合伙)代理人郭云
摘要
本发明公开了一种基于图像的MEMS面内位移测量方法,该方法包括以下步骤:S1,获取两幅图像;S2,在样本图像中选取样本子区f(x,y),在目标图像中选取目标子区g(x,y);S3,为提高处理的精度,对两幅子区图像进行分形插值处理;S4,将样本子区图像进行傅立叶变换;S5,将步骤S4中变换后的图像进行滤波,得到涡旋图像;S6,计算涡旋点偏心率参数和相位参数;S7,寻找最佳匹配,获得位移值。本发明解决了传统数字散斑中采用光学方法获取散斑图像需要激光光源同时对微小物体的散斑布放存在困难的问题,也解决了在进行相关运算计算量大,算法耗时较长,测量分辨率满足不了MEMS面内位移亚像素级测量要求的缺陷,能够提高测量精度和效率。

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