太阳能电池用硅晶圆及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201480023748.1
IPC分类号：--
申请日期：
2014-04-09
申请人：
株式会社TKX

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法律信息

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著录项信息

专利名称	太阳能电池用硅晶圆及其制造方法
申请号	CN201480023748.1	申请日期	2014-04-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-09	公开/公告号	CN105144351A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社TKX	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社TKX	当前权利人	株式会社TKX
发明人	池内正彦;远藤忠;津田统
代理机构	北京林达刘知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘新宇;李茂家

摘要

本发明提供一种反射率低、光泽不均少的太阳能电池用硅晶圆及其制造方法，所述太阳能电池用硅晶圆是使用以固定磨粒方式对多晶硅锭进行切片而得到的切片获得的。一种太阳能电池用硅晶圆的制造方法，其中，通过包含由氢氟酸、硝酸和硫酸组成的混酸的蚀刻液对多晶硅的切片进行蚀刻，所述切片是用固定磨粒方式的线锯进行切片而得到的，混酸的组成范围在以重量％表示上述组成的三角图中处于依次连结以下点A～点D的四条线段所围成的区域内，所述点A为氢氟酸2.82重量％、硝酸0.18重量％、硫酸97重量％的点；所述点B为氢氟酸0.18重量％、硝酸2.82重量％、硫酸97重量％的点；所述点C为氢氟酸8.47重量％、硝酸0.53重量％、硫酸91重量％的点；所述点D为氢氟酸0.53重量％、硝酸8.47重量％、硫酸91重量％的点，蚀刻液的水的浓度为0～10.5重量％。

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