半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110784303.7
IPC分类号：H01L21/027;H01L23/544
申请日期：
2021-07-12
申请人：
武汉新芯集成电路制造有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN202110784303.7	申请日期	2021-07-12
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-22	公开/公告号	CN113539797A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/027 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;3;/;5;4;4查看分类表>
申请人	武汉新芯集成电路制造有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司	当前权利人	武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人	李乐
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	田婷

摘要

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：提供一透明衬底；形成对准标记于所述透明衬底上，所述对准标记的材质为非透明和/或半透明材料；形成器件膜层覆盖于所述透明衬底上，所述器件膜层掩埋所述对准标记；形成光刻胶层覆盖于所述器件膜层上；以及，将光信号穿透所述光刻胶层和所述器件膜层，以所述对准标记进行对准，对所述光刻胶层进行光刻，以形成图案化的光刻胶层。本发明能够避免在透明衬底上制作不同器件结构时，不同器件结构对应的光刻胶层之间无法光刻对准，进而避免导致各层器件结构制作异常。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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