一种半导体发光元件

发明专利无效专利

申请号：
CN200710038467.5
IPC分类号：H01L33/00;H01L23/36;H01L23/488
申请日期：
2007-03-26
申请人：
郑沈秀

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著录项信息

专利名称	一种半导体发光元件
申请号	CN200710038467.5	申请日期	2007-03-26
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-10-01	公开/公告号	CN101276859
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8查看分类表>
申请人	郑沈秀	申请人地址	湖州市八里店镇吴兴科技创业园区29幢二层变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖州抛珥麻克新能源科技有限公司	当前权利人	湖州抛珥麻克新能源科技有限公司
发明人	郑沈秀
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种半导体发光元件，其特征在于：底座表面设有半导体发光芯片，半导体发光芯片两侧的底座表面均设有绝缘块，绝缘块内嵌有电极，电极通过金属导线与半导体发光芯片连接，半导体发光芯片与底座之间设有散热胶层，其设计结构完全突破现有照明灯泡的设计理念，采用低能耗，高发光量的半导体发光芯片，配合独特的后部散热结构，使得灯体整体发热量能快速散去，降低发光原件内的热量，提高产品的工作稳定性，延长产品寿命，本产品具有低能耗，高发光亮度的特点，节能率可到达75％－85％，使用范围广泛，益于推广应用，相比现有技术而言具有突出的实质性特点和显著进步。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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