半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911028949.1
IPC分类号：H01L21/033;H01L21/027;H01L21/28;H01L29/423
申请日期：
2019-10-28
申请人：
长鑫存储技术有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体结构及其形成方法
申请号	CN201911028949.1	申请日期	2019-10-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-30	公开/公告号	CN112735947A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/033 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/027 未在H01L 21/18或H01L 21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜〔5〕 H01L21/033 包括无机层的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;3;3;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;7;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人	长鑫存储技术有限公司	申请人地址	安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	长鑫存储技术有限公司	当前权利人	长鑫存储技术有限公司
发明人	董鹏
代理机构	上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	孙佳胤;董琳

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底表面形成图形化牺牲层；在所述牺牲层侧壁表面形成第一侧墙；去除所述牺牲层；在相邻的所述第一侧墙之间填充第二侧墙，所述第二侧墙顶部低于所述第一侧墙顶部；刻蚀所述第一侧墙至所述基底表面，形成若干分立的第二侧墙；以所述第二侧墙为掩膜，刻蚀所述基底。上述形成方法能够提高刻蚀基底后形成的刻蚀图形的准确性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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