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透明氧化物半导体薄膜晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310066548.1
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L21/34
  • 申请日期:
    2003-10-10
  • 申请人:
    三星显示有限公司
著录项信息
专利名称透明氧化物半导体薄膜晶体管
申请号CN201310066548.1申请日期2003-10-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-06-05公开/公告号CN103137709A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;4查看分类表>
申请人三星显示有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星显示有限公司当前权利人三星显示有限公司
发明人P·F·卡西亚;R·S·麦克莱恩
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人张英;王玉桂
摘要
本发明涉及透明氧化物半导体薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。所述方法包括:在基底上形成栅电极;形成栅极绝缘体;形成源电极和漏电极;以及形成被构造成使所述源电极与所述漏电极电连接的沟道,其中,所述沟道通过在惰性气体中可控的氧气分压下溅射未掺杂的透明金属氧化物层来形成,所述金属氧化物包括氧化锌、氧化铟、氧化锡和氧化镉中的至少一种,并且所述溅射在低于100℃的温度下进行。

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