一种22纳米及以下量值单一线宽样板结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110791794.8
IPC分类号：G01B21/02;C23C16/40;C23C16/455;B82Y30/00;B82Y40/00
申请日期：
2021-07-13
申请人：
西安交通大学

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著录项信息

专利名称	一种22纳米及以下量值单一线宽样板结构及其制备方法
申请号	CN202110791794.8	申请日期	2021-07-13
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-22	公开/公告号	CN113532348A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01B21/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01B 长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量 G01B21/00 不适合于本小类其他组中所列的特定类型计量装置的计量设备或其零部件〔3〕 G01B21/02 用于计量长度、宽度或厚度（G01B 21/10优先）〔3〕	IPC分类号	G;0;1;B;2;1;/;0;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;5;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	西安交通大学	申请人地址	陕西省西安市咸宁西路28号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安交通大学	当前权利人	西安交通大学
发明人	张易军;闫天怡;王琛英;任巍;蒋庒德;叶作光;王瑞康
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司	代理人	贺小停

摘要

一种22纳米及以下量值单一线宽样板结构及其制备方法，包括衬底层、第一膜层、第二膜层和粘结层；第一膜层和第二膜层自上而下依次设置在衬底层上，形成膜层单元，两个膜层单元的第一膜层相对设置，通过粘结层粘结；第二膜层上设置宽度小于等于22纳米的凹槽。本发明利用原子层沉积技术具有薄膜厚在亚纳米量级精确可控，工艺可重复性高等优点，采用将薄膜厚度转换成纳米线宽样板特征尺寸的设计思路，制备高精度的微尺度(22nm以下量程)纳米单线宽样板，目前所制备的高精度线宽的极限尺度达到16nm，已达到国内顶尖，世界领先的水平。

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