一种二维磁性材料中对DM作用的原子级计算方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910578180.4
IPC分类号：G16C60/00
申请日期：
2019-06-28
申请人：
同济大学

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著录项信息

专利名称	一种二维磁性材料中对DM作用的原子级计算方法
申请号	CN201910578180.4	申请日期	2019-06-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-10-11	公开/公告号	CN110322936A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G16C60/00	IPC分类号	G;1;6;C;6;0;/;0;0查看分类表>
申请人	同济大学	申请人地址	上海市虹口区四平路1239号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	同济大学	当前权利人	同济大学
发明人	谢晗;樊维佳
代理机构	上海德昭知识产权代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明所涉及的二维磁性材料中对DM作用的原子级计算方法，包括在软件中对二维磁性材料的简立方晶体进行模拟取其单层简立方晶体原子进行计算，以单层简立方晶体的中心原子为坐标系原点建立空间向量坐标系，并且标记每一个原子的坐标。将距离所述中心原子最近的原子进行矢量处理，得出DM作用的哈密顿量，基于公式得出基于得出对所述磁性材料中所有原子的磁化强度进行矢量求和，即可得出材料整体的磁化强度的方向。

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