用于磁致伸缩式随机存取存储器(MRAM)的小形状因子磁屏蔽

发明专利无效专利

申请号：
CN201480007258.2
IPC分类号：H01L23/552;H01L23/64;H01L43/02;H01L27/22
申请日期：
2014-01-31
申请人：
高通股份有限公司

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专利名称	用于磁致伸缩式随机存取存储器(MRAM)的小形状因子磁屏蔽
申请号	CN201480007258.2	申请日期	2014-01-31
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-10-07	公开/公告号	CN104969346A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/552 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/552 防辐射保护装置，例如光〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;5;2;;;H;0;1;L;2;3;/;6;4;;;H;0;1;L;4;3;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;2;2查看分类表>
申请人	高通股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	高通股份有限公司	当前权利人	高通股份有限公司
发明人	S·顾;R·张;V·拉马钱德兰;D·W·金
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	唐杰敏

摘要

一些实现提供包括磁阻式随机存取存储器(MRAM)单元阵列的管芯，该MRAM单元阵列包括若干MRAM单元。该管芯还包括位于该MRAM单元阵列上方的第一铁磁层、位于该MRAM单元阵列下方的第二铁磁层、以及位于至少一个MRAM单元周围的若干通孔。通孔包括铁磁材料。在一些实现中，第一铁磁层、第二铁磁层和该若干通孔定义用于该MRAM单元阵列的磁屏蔽。MRAM单元可包括磁隧道结(MTJ)。在一些实现中，该若干通孔至少穿过管芯的金属层和介电层。在一些实现中，通孔是贯穿基板通孔。在一些实现中，铁磁材料具有高磁导率和高B饱和度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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