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存储多值数据的非易失性半导体存储器

发明专利无效专利

申请号：
CN200610073511.1
IPC分类号：G11C11/56;G11C16/10
申请日期：
2006-04-12
申请人：
株式会社东芝

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	存储多值数据的非易失性半导体存储器
申请号	CN200610073511.1	申请日期	2006-04-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-10-18	公开/公告号	CN1848295
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/56 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/56 使用具有按级表示的多于两个稳态的存储元件的，如，电压、电流、相位、频率的（由这种形式的多稳态元件组成的计数装置入H03K 25/00，H03K 29/00）〔2〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;5;6;;;G;1;1;C;1;6;/;1;0查看分类表>
申请人	株式会社东芝	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社东芝	当前权利人	株式会社东芝
发明人	本多泰彦
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

在对存储单元的数据写入的开始时，电压生成电路以第1控制时间对控制栅供给第1控制栅电压，同时以比第1控制时间短的第1写入时间对漏供给写入电压。校验的结果，在对于存储单元的写入是不充分的情况下，电压供给部比第1控制时间短的时间对控制栅供给在第1控制栅电压上增加了恒定电压的第2控制栅电压，同时以比第1写入时间短的第2写入时间对漏供给写入电压。

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