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在非易失性存储器(NVM)单元中减轻单元间耦合效应

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201180047226.1
  • IPC分类号:G11C7/10;G11C7/02
  • 申请日期:
    2011-08-16
  • 申请人:
    技术研究及发展基金公司
著录项信息
专利名称在非易失性存储器(NVM)单元中减轻单元间耦合效应
申请号CN201180047226.1申请日期2011-08-16
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-06-05公开/公告号CN103140894A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G11C7/10IPC分类号G;1;1;C;7;/;1;0;;;G;1;1;C;7;/;0;2查看分类表>
申请人技术研究及发展基金公司申请人地址
以色列海法 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人技术研究及发展基金公司当前权利人技术研究及发展基金公司
发明人伊扎克·比克;阿米特·伯曼
代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司代理人陆建萍;王漪
摘要
一种操作包括多个非易失性存储器(NVM)单元的NVM阵列的系统、计算机可读介质和方法,该方法包括:接收有待写入到该非易失性存储器的输入数据;在该输入数据上执行约束译码以便提供已编码数据;其中该约束译码防止该已编码数据包括多个禁止值组合;其中基于从在多个NVM单元之间的耦合导致的多个预期单元间耦合感应错误来定义这些禁止值组合;以及将该已编码数据写入到该非易失性存储器。

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