半导体器件

发明专利无效专利

申请号：
CN200410061683.8
IPC分类号：--
申请日期：
2004-06-24
申请人：
株式会社瑞萨科技

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件
申请号	CN200410061683.8	申请日期	2004-06-24
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-02-02	公开/公告号	CN1574338
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社瑞萨科技	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社瑞萨科技	当前权利人	株式会社瑞萨科技
发明人	田中直敬;岩崎富生;三浦英生;中岛靖之;松泽朝夫
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

一种半导体器件，对于Cu布线/Low－k材料的叠层布线结构LSI，可降低对键合焊盘的损伤，确立可与现有的铝布线的LSI同样使用的窄间距焊丝键合技术。在由Cu布线/Low－k绝缘膜材料形成多层叠层布线的半导体元件中，通过由Cu布线层形成，直至最上层的帽盖布线，在由Cu层形成的键合焊盘部中，在其上层形成Ti(钛)膜或(钨)膜等的高熔点的中间金属层，在其上层再形成铝合金层的键合焊盘结构来实现所述技术。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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