实现晶体温度调控的双温控模式大口径晶体倍频转换装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201510658595.4
IPC分类号：H01S3/109;G02F1/35;G02F2/02;H01S3/04
申请日期：
2015-10-12
申请人：
哈尔滨工业大学

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著录项信息

专利名称	实现晶体温度调控的双温控模式大口径晶体倍频转换装置
申请号	CN201510658595.4	申请日期	2015-10-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-01-13	公开/公告号	CN105244751A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S3/109 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S3/00 激光器，即利用受激发射对红外光、可见光或紫外线进行产生、放大、调制、解调或变频的器件（半导体激光器入H01S 5/00） H01S3/10 控制辐射的强度、频率、相位、极化或方向，例如开关、选通、调制或解调（模式锁定入H01S 3/098）〔2〕 H01S3/106 由控制安置在腔内1个器件（H01S 3/13优先）〔4〕 H01S3/108 应用1个非线性光学器件，例如呈现布里渊散射或拉曼散射的〔4〕 H01S3/109 倍频，例如谐波的产生〔4〕	IPC分类号	H;0;1;S;3;/;1;0;9;;;G;0;2;F;1;/;3;5;;;G;0;2;F;2;/;0;2;;;H;0;1;S;3;/;0;4查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	赵航;张鹏;卢礼华;赵润昌;李志军
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	岳泉清

摘要

实现晶体温度调控的双温控模式大口径晶体倍频转换装置，它涉及一种双温控模式大口径晶体倍频转换装置。本发明为了解决现有的加热装置无法实现大口径晶体精确温度控制并能保持晶体具有较高温度面均匀性问题。本发明的进水管道的一端和回水管的一端分别与恒温水箱连接，进水管道的另一端通过水流三通管接头与倍频转换主体上的第一铝合金箱体和第二铝合金箱体的两个进水口连接，第二铝合金箱体上的进水口与水流三通管接头之间的管路上设有进水水流控制阀，回水管的另一端与倍频转换主体上的第一铝合金箱体和第二铝合金箱体的两个回水口连接。本发明用于实现高通量大口径激光的倍频转换。

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