用于改进DDR存储器装置中的写入前同步码的系统和方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201880060526.5
IPC分类号：--
申请日期：
2018-08-02
申请人：
美光科技公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于改进DDR存储器装置中的写入前同步码的系统和方法
申请号	CN201880060526.5	申请日期	2018-08-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-05	公开/公告号	CN111108561A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	美光科技公司	申请人地址	美国爱达荷州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	美光科技公司	当前权利人	美光科技公司
发明人	D·B·彭妮;D·R·布朗;G·L·霍韦
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	王龙

摘要

一种存储器装置包含数据写入电路系统。所述数据写入电路系统经配置以捕获经由外部输入/输出I/O接口接收的第一写入命令。所述数据写入电路系统进一步经配置以在捕获所述第一写入命令后，在数据选通DQS域中生成第一内部写入开始InternalWrStart。所述数据写入电路系统另外经配置以基于所述第一InternalWrStart将第一一或多个数据位写入至少一个存储器存储体中，其中在所述存储器装置内部生成所述第一InternalWrStart。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供