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半导体器件和用于制造半导体器件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410592542.2
IPC分类号：H01L23/488;H01L21/60
申请日期：
2014-10-29
申请人：
瑞萨电子株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件和用于制造半导体器件的方法
申请号	CN201410592542.2	申请日期	2014-10-29
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-05-06	公开/公告号	CN104600043A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/488 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	瑞萨电子株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	石井泰之;足立哲生
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	王茂华

摘要

本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。提供一种具有提高的可靠性的半导体器件。半导体芯片(半导体器件)包括多个电极焊盘，在平面视图中，该多个电极焊盘布置在沿半导体芯片的周界的边(芯片边)延伸的多行中。在这些电极焊盘中，布置在沿芯片边的第一行中的相应电极焊盘的面积小于布置在位置比该第一行离芯片边更远的行中的相应电极焊盘的面积。

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