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一种低电容瞬态电压抑制器及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010236372.X
  • IPC分类号:H01L27/02;H01L21/8222
  • 申请日期:
    2020-03-30
  • 申请人:
    上海维安半导体有限公司
著录项信息
专利名称一种低电容瞬态电压抑制器及其制造方法
申请号CN202010236372.X申请日期2020-03-30
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2020-06-19公开/公告号CN111312708A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/02IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2;2查看分类表>
申请人上海维安半导体有限公司申请人地址
上海市浦东新区施湾七路1001号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海维安半导体有限公司当前权利人上海维安半导体有限公司
发明人蒋骞苑;赵德益;赵志方;吕海凤;张啸;王允;李亚文
代理机构上海东亚专利商标代理有限公司代理人暂无
摘要
本发明涉及一种低电容瞬态电压抑制器及其制造方法,一种低电容瞬态电压抑制器采用衬底硅片,在TVS器件结构基础上,在衬底与外延之间增加N+埋层,并通过深N+/浅N+区引出,或者,在衬底与外延之间增加P+埋层,并通过深P+/浅P+区引出。本发明与传统低容结构的TVS器件,在不增加硅片面积的情况下,通过增加电流导通面积,使抗浪涌及静电释放的能力得以大幅提升,满足高速信号传输端口的要求,可以应用在诸如网口、RJ45、无线局域网、笔记本电脑等设备中。

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