一种基于倏逝波的离子浓度测试芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN201710943245.1
IPC分类号：G01N21/64
申请日期：
2017-10-11
申请人：
河南仕佳光子科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种基于倏逝波的离子浓度测试芯片
申请号	CN201710943245.1	申请日期	2017-10-11
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-06	公开/公告号	CN107764791A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/64 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先） G01N21/62 所测试的材料在其中被激发，因之引起材料发光或入射光的波长发生变化的系统〔3〕 G01N21/63 光学激发的〔3〕 G01N21/64 荧光；磷光〔3〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;6;4查看分类表>
申请人	河南仕佳光子科技股份有限公司	申请人地址	河南省鹤壁市淇滨区延河路201号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	河南仕佳光子科技股份有限公司	当前权利人	河南仕佳光子科技股份有限公司
发明人	尹小杰;李毅;孙静雯;周智鹏;张家顺;安俊明;吴远大;钟飞;常夏森
代理机构	郑州优盾知识产权代理有限公司	代理人	张绍琳;谢萍

摘要

本发明公开了一种基于倏逝波的离子浓度测试芯片，包括芯片本体，所述芯片本体包括衬底、波导和包层，包层将波导包裹在衬底上，且在包层上与波导相对应的位置设置有微槽，微槽的宽度大于波导的宽度，且在微槽的内壁涂覆有待测离子物质荧光识别材料。以及制作方法，步骤1，清洗衬底；步骤2，淀积波导芯层；步骤3，高温退火；步骤4，形成掩膜层；步骤5，涂覆光刻胶；步骤6，刻蚀掩膜层；步骤7，形成波导芯层；步骤8，去除掩膜层；步骤9，淀积上包层；步骤10，上包层形成掩膜层；步骤11，涂覆光刻胶；步骤12，去除光刻胶层；步骤13，形成微槽；步骤14，去除掩膜层；步骤15，切割并磨抛。本发明灵敏度高，生物特异性强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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该专利没有被任何外部专利所引用！

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