一种基于金属辅助化学蚀刻的大高宽比探针及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110850450.X
IPC分类号：B81C1/00;B81B1/00
申请日期：
2021-07-27
申请人：
浙江大学

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著录项信息

专利名称	一种基于金属辅助化学蚀刻的大高宽比探针及其制造方法
申请号	CN202110850450.X	申请日期	2021-07-27
法律状态	公开	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-11-02	公开/公告号	CN113582129A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;B;1;/;0;0查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	胡欢;吴西航;张兰胜;丁小蕾
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	邱启旺

摘要

本发明公开了一种基于金属辅助化学蚀刻方法的大高宽比探针，该探针由一体化制造的基底、悬臂梁和大高宽比针尖组成。本发明采用光刻、刻蚀等常规微纳加工工艺结合金属辅助的化学湿法刻蚀制作得到。本发明利用金属辅助化学蚀刻技术，对硅进行各向异性的湿法蚀刻，得到大高宽比的针尖，且制备的针尖拥有侧面光滑、横截面形状变化小的优势。本发明基于传统微加工工艺，引进了金属辅助化学蚀刻技术，相对RIE、ICP等深硅刻蚀技术，具备低成本、可控性强等优点。

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