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电容检测方法及电容检测电路

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210182949.9
  • IPC分类号:G01R27/26
  • 申请日期:
    2012-06-05
  • 申请人:
    泰凌微电子(上海)有限公司
著录项信息
专利名称电容检测方法及电容检测电路
申请号CN201210182949.9申请日期2012-06-05
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-10-24公开/公告号CN102749525A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R27/26IPC分类号G;0;1;R;2;7;/;2;6查看分类表>
申请人泰凌微电子(上海)有限公司申请人地址
浙江省余姚市经济开发区城东新区冶山路 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人基合半导体(宁波)有限公司当前权利人基合半导体(宁波)有限公司
发明人盛文军;谢循;张耀国;方飞;王广
代理机构上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)代理人卢刚
摘要
本发明涉及电子领域,公开了一种电容检测方法及电容检测电路。本发明中,将运算放大器的负输入端电压调整至所需的基准值,可以在电荷转移阶段中将待检测电容Cs上端的电压限制在Vset,也就是采样电容Cs上的电荷没有完全转移至积分电容Ci上。因此,同样可以通过电荷守恒原理,根据所述运算放大器的输出端电压的变化,计算出所述待检测电容的电容值。由于运算放大器的负输入端电压是可调的,因此即使是检测容值从几皮法到几百皮法的电容,都可通过对运算放大器的负输入端电压的调整,将运算放大器的输出端电压控制在一个合理的范围,从而使得该电容检测方法可以检测几皮法到几百皮法的电容。

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