半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201911382924.1
IPC分类号：H01L21/28;H01L29/423;H01L29/49
申请日期：
2019-12-27
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体结构及其形成方法
申请号	CN201911382924.1	申请日期	2019-12-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-29	公开/公告号	CN113053739A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;4;9查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	张海洋;刘盼盼
代理机构	上海知锦知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	高静

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成伪栅结构；在伪栅结构的侧壁上形成侧墙；在伪栅结构侧部的基底上形成层间介质层，层间介质层的顶面高于伪栅结构的顶面，层间介质层中形成有沟槽，露出伪栅结构和侧墙的顶部；在层间介质层的顶面、沟槽的侧壁、以及沟槽底部的伪栅结构和侧墙上形成刻蚀阻挡层；去除沟槽底部的刻蚀阻挡层和伪栅结构，在层间介质层中形成栅极开口；在栅极开口和沟槽中、以及刻蚀阻挡层上形成初始栅极结构；以刻蚀阻挡层作为停止层，对初始栅极结构进行第一平坦化处理，形成栅极结构。本发明实施例有利于提高栅极结构的高度一致性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供