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横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200910188617.X
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2009-12-04
  • 申请人:
    无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
著录项信息
专利名称横向双扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
申请号CN200910188617.X申请日期2009-12-04
法律状态暂无申报国家暂无
公开/公告日2011-06-08公开/公告号CN102088030A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡华润上华科技有限公司当前权利人无锡华润上华科技有限公司
发明人桂林春;何丽丽;王乐
代理机构广州华进联合专利商标代理有限公司代理人何平
摘要
本发明涉及半导体工业中的一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管器件,包括:衬底,衬底内的阱,位于衬底和阱表层交界处的场氧化层,位于阱内的体区、浓度梯度区、漂移区,位于体区内的源漏区和体引出区,位于浓度梯度区内的掺杂区,位于漂移区上方的漂移区氧化层,覆盖在阱和漂移区氧化层表面的栅;其特征在于,还包括夹在漂移区及漂移区氧化层之间的反型层。本发明还涉及上述器件的制造方法。本发明在原有的漂移区注入的基础上加注一层反型层,使得载流子在流经漂移区时不会被表面受损的晶格所散射而导致迁移率下降,同时避免漂移区氧化层下表面的氧化层堆垛层错以及界面态复合载流子而使得载流子寿命降低,减小了导通电阻。

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