半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02158814.7
IPC分类号：H01L23/48;H01L21/60;H01L21/28
申请日期：
2002-12-25
申请人：
夏普株式会社

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专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN02158814.7	申请日期	2002-12-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-07-16	公开/公告号	CN1430271
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	山口真司;浅津琢郎;小野敦
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汪惠民

摘要

一种半导体装置及其制造方法，包括在基板上形成的、在电极垫上具有开口部的第1保护膜、在上述开口部中与电极垫连结并且其周边部由上述第1保护膜所覆盖的突起电极、至少覆盖第1保护膜和突起电极之间的边界部分的间隙而形成的并且在突起电极的上面区域除与第1保护膜之间的边界部分周边之外开口的第2保护膜、在第2保护膜的开口上覆盖突起电极表面而形成的覆盖层。这样、在采用无电解电镀法形成突起电极的半导体装置中、可以防止电极垫和突起电极之间的连结强度的降低。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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