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结晶半导体薄膜叠层的形成方法以及滤色器

发明专利无效专利

申请号：
CN02105336.7
IPC分类号：--
申请日期：
2002-02-25
申请人：
富士施乐株式会社

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	结晶半导体薄膜叠层的形成方法以及滤色器
申请号	CN02105336.7	申请日期	2002-02-25
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2002-11-20	公开/公告号	CN1380681
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	富士施乐株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士施乐株式会社	当前权利人	富士施乐株式会社
发明人	大津茂実;清水敬司;谷田和敏;圷英一
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	刘国平

摘要

一种在基底材料上形成结晶半导体薄膜的方法,采用低温及简单的步骤和装置,包含以下步骤:在真空或还原性气氛中,保持温度在不低于25℃和不高于300℃情况下,施加紫外线到基底材料上的非晶质半导体薄膜。一种在其基底材料上形成有结晶半导体薄膜的衬底。一种形成滤色器的衬底和一种使用上述衬底的滤色器。

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