一种氮化镓基激光二极管外延结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010547047.5
IPC分类号：H01S5/343;H01S5/20
申请日期：
2020-06-16
申请人：
东莞理工学院

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专利名称	一种氮化镓基激光二极管外延结构及其制备方法
申请号	CN202010547047.5	申请日期	2020-06-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-22	公开/公告号	CN111697428A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/343 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/30 激活区的结构或形状；用于激活区的材料〔7〕 H01S5/34 含有量子阱的或超晶格结构的，例如单量子阱激光器〔SQW-激光器〕、多量子阱激光器〔MQW-激光器〕，缓变折射率（光电）分别限制异质结构激光器〔GRINSCH-激光器〕（H01S5/36优先）〔7〕 H01S5/343 用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;3;4;3;;;H;0;1;S;5;/;2;0查看分类表>
申请人	东莞理工学院	申请人地址	广东省东莞市松山湖科技产业园区大学路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东莞理工学院	当前权利人	东莞理工学院
发明人	贾传宇
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司	代理人	姚招泉

摘要

本发明公开了一种氮化镓基激光二极管外延结构及其制备方法，所述氮化镓基激光二极管外延结构从下到上依次层叠设有氮化镓单晶衬底、n型GaN层、n型限制层、下波导层、有源区、上波导层、p型限制层和p型GaN层，其中，下波导层为n‑‑Aly2Ga1‑y2N+n‑‑GaN+n‑Inx1Ga1‑x1N/GaN超晶格复合波导层，有源区为非对称掺杂的InGaN/GaN双量子阱结构，上波导层为u‑Inx4Ga1‑x4N/GaN超晶格+u‑GaN+p‑Aly4Ga1‑y4N复合结构。本专利申请通过优化设计氮化镓基激光器高量子效率渐变In组分梯形有源区结构，并进一步设计新型光波导层结构，得到全新的氮化镓基激光二极管外延结构。该氮化镓基激光二极管外延结构用作激光器，进行光泵激射时，半峰宽较窄，光束质量高。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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