一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法

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专利名称	一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法
申请号	CN201911338170.X	申请日期	2019-12-23
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2020-04-28	公开/公告号	CN111071984A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;4;2查看分类表>
申请人	湖南大学	申请人地址	湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湖南大学	当前权利人	湖南大学
发明人	段辉高;刘卿;陈艺勤;舒志文
代理机构	深圳市兴科达知识产权代理有限公司	代理人	王翀;阳江军

摘要

本发明揭示了一种选择性剥离光刻胶制备微纳结构的方法。本发明通过对衬底进行修饰以降低光刻胶与衬底的粘附力，然后在光刻胶上曝光出所需结构的轮廓，再利用黏贴层选择性的把轮廓以外的光刻胶撕走，留下的光刻胶结构便是正型结构，即代替了常规的负胶结构，从而实现正胶负用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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