具有碳化硅衬底的复合衬底

发明专利无效专利

申请号：
CN201180004270.4
IPC分类号：H01L21/02;C30B29/36;H01L21/20;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78
申请日期：
2011-06-17
申请人：
住友电气工业株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有碳化硅衬底的复合衬底
申请号	CN201180004270.4	申请日期	2011-06-17
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-11	公开/公告号	CN102576659A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	住友电气工业株式会社	申请人地址	日本大阪府大阪市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	住友电气工业株式会社	当前权利人	住友电气工业株式会社
发明人	堀勉;原田真;井上博挥;佐佐木信;伊藤里美;冲田恭子;并川靖生
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	韩峰;孙志湧

摘要

第一碳化硅衬底(11)具有与支撑部(30)相连接的第一背面(B1)、与第一背面(B1)相反的第一正面(T1)以及将第一背面(B1)和第一正面(T1)彼此连接的第一侧面(S1)。第二碳化硅衬底(12)具有与支撑部(30)相连接的第二背面(B2)、与第二背面(B2)相反的第二正面(T2)以及将第二背面(B2)和第二正面(T2)彼此连接的第二侧面(S2)，并且在第一侧面(S1)和第二侧面(S2)之间形成有间隙(GP)。封闭部(21)封闭间隙(GP)。由此，能够防止异物残留在复合衬底中提供的多个碳化硅衬底之间的间隙中。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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