蚀刻和清洗方法及所用的蚀刻和清洗设备

发明专利无效专利

申请号：
CN00102991.6
IPC分类号：--
申请日期：
2000-03-14
申请人：
日本电气株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	蚀刻和清洗方法及所用的蚀刻和清洗设备
申请号	CN00102991.6	申请日期	2000-03-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2000-09-27	公开/公告号	CN1267904
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	日本电气株式会社	申请人地址	美国加利福尼亚变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	德塞拉先进技术公司	当前权利人	德塞拉先进技术公司
发明人	山崎进也;青木秀充
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	戎志敏

摘要

提供一种蚀刻/清洗设备。该设备具有好的控制性并使得有选择性地清除存在于半导体晶片上的不需要的杂质而没有损害器件区域成为可能。装置包括：(a)用于固定半导体晶片和在水平面旋转所述晶片的旋转装置；在晶片的正面有器件区域和正面圆周区域；正面圆周区域放置在器件区域的外部；以及(b)向晶片的正面圆周区域喷射蚀刻/清洗液体的边缘喷嘴。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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