MEMS传感器

发明专利有效专利

申请号：
CN202110083903.0
IPC分类号：B81B7/00;B81B7/02
申请日期：
2021-01-21
申请人：
杭州海康微影传感科技有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	MEMS传感器
申请号	CN202110083903.0	申请日期	2021-01-21
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-07	公开/公告号	CN112758884A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;0;;;B;8;1;B;7;/;0;2查看分类表>
申请人	杭州海康微影传感科技有限公司	申请人地址	浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开发区求是路299号A1号楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州海康微影传感科技有限公司	当前权利人	杭州海康微影传感科技有限公司
发明人	宋亚伟;宋学谦;迟海
代理机构	北京博思佳知识产权代理有限公司	代理人	杨春香

摘要

本发明提供了一种MEMS传感器，包括：基板与盖板；基板包括MEMS结构，围绕MEMS结构设置的第一内焊接环、以及围绕第一内焊接环设置的第一外焊接环；盖板包括第二内焊接环，与围绕第二内焊接环设置的第二外焊接环；基板与盖板通过第一内焊接环与第二内焊接环焊接在一起形成第一密封结构，第一密封结构将MEMS结构限定在真空腔体内；基板与盖板通过第一外焊接环与第二外焊接环焊接在一起形成第二密封结构，第二密封结构与第一密封结构之间形成真空夹层腔体。根据本发明的实施例，可极大降低气体的漏率，提高MEMS传感器的可靠性和寿命。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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