一种电沉积法制备三带隙铬掺杂铜锌锡硫太阳能电池薄膜材料的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110447458.1
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0392;C25D5/10;C25D5/50;C25D3/56
申请日期：
2021-04-25
申请人：
湘潭大学

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著录项信息

专利名称	一种电沉积法制备三带隙铬掺杂铜锌锡硫太阳能电池薄膜材料的方法
申请号	CN202110447458.1	申请日期	2021-04-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-30	公开/公告号	CN113193080A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;9;2;;;C;2;5;D;5;/;1;0;;;C;2;5;D;5;/;5;0;;;C;2;5;D;3;/;5;6查看分类表>
申请人	湘潭大学	申请人地址	湖南省湘潭市雨湖区羊牯塘27号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湘潭大学	当前权利人	湘潭大学
发明人	杨穗;周鹏;易捷;钟建新
代理机构	湘潭市汇智专利事务所（普通合伙）	代理人	冷玉萍

摘要

本发明公开了一种电沉积法制备三带隙铬掺杂铜锌锡硫太阳能电池薄膜材料的方法。先将氯化铜、氯化锡和氯化锂溶于乙醇液体中，在基底上电沉积Cu‑Sn合金层，再将氯化铬、氯化锌和氯化锡溶于乙醇液体中，再在Cu‑Sn合金薄膜上沉积Cr‑Zn‑Sn合金薄膜，然后将沉积的双层合金薄膜硫化退火处理，最终制备出铬掺杂铜锌锡硫薄膜材料。本发明制备工艺简单，原材料利用率高，产品成本低廉，可控性强，可重复性好，易于实现大面积、高质量薄膜的制备和大规模生产；本发明所得材料，结晶性好，表面形貌致密平整，铬元素通过替位元素锌，在铜锌锡硫晶体材料的禁带中形成一个杂质能带，拓宽了吸收太阳光谱，可以极大地增加器件的光生电流。

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