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吲哚‑2‑酮类聚合物及其制备方法与应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510312134.1
  • IPC分类号:C08G61/12;H01L51/30
  • 申请日期:
    2015-06-09
  • 申请人:
    中国科学院化学研究所
著录项信息
专利名称吲哚‑2‑酮类聚合物及其制备方法与应用
申请号CN201510312134.1申请日期2015-06-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-09-23公开/公告号CN104927030A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08G61/12IPC分类号C;0;8;G;6;1;/;1;2;;;H;0;1;L;5;1;/;3;0查看分类表>
申请人中国科学院化学研究所申请人地址
北京市海淀区中关村北一街2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院化学研究所当前权利人中国科学院化学研究所
发明人张卫锋;高冬;郑乃杭;黄剑耀;于贵
代理机构北京纪凯知识产权代理有限公司代理人关畅
摘要
本发明公开了一种吲哚‑2‑酮类聚合物及其制备方法与应用。该吲哚‑2‑酮类聚合物结构式如式Ⅰ所示。上述式Ⅰ中,R选自下述任意一种:C8‑C80(优选C5‑C50)的直链或支链烷基,X选自S和Se,n为聚合度为5‑500(优选10‑100)。本发明还提供式Ⅰ所示聚合物的制备方法。本发明的合成路线简单易行,合成步骤少,收率高宜于大规模合成。以本发明的吲哚‑2‑酮类聚合物为有机半导体层制备得到场效应晶体管的迁移率和开关比都比较高,迁移率为0.35cm2V‑1s‑1,开关比大于106。本发明提供的式I聚合物在有机场效应器件中有良好的应用前景。

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