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GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200710040613.8
  • IPC分类号:H01L31/09
  • 申请日期:
    2007-05-14
  • 申请人:
    中国科学院上海技术物理研究所
著录项信息
专利名称GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器
申请号CN200710040613.8申请日期2007-05-14
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-10-17公开/公告号CN101055882
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/09IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;9查看分类表>
申请人中国科学院上海技术物理研究所申请人地址
上海市玉田路500号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院上海技术物理研究所当前权利人中国科学院上海技术物理研究所
发明人陆卫;熊大元;李宁;甄红楼;张波;陈平平;李天信;李志锋;陈效双
代理机构上海新天专利代理有限公司代理人郭英
摘要
本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器,该器件采用GaAs基材料,交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒,利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测,利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱,AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒;对中波探测的InGaAs量子阱,AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒,并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度,除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅,在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。

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