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硅通孔深孔填充工艺

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310750385.9
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2013-12-31
  • 申请人:
    北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
著录项信息
专利名称硅通孔深孔填充工艺
申请号CN201310750385.9申请日期2013-12-31
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-07-01公开/公告号CN104752330A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司申请人地址
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京北方华创微电子装备有限公司当前权利人北京北方华创微电子装备有限公司
发明人侯珏
代理机构北京天昊联合知识产权代理有限公司代理人彭瑞欣;张天舒
摘要
本发明提供了一种硅通孔深孔填充工艺,用于提高硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率,工作步骤如下:步骤A1,向磁控溅射设备中通入工艺气体;步骤A2,用第一射频功率、第一气压对硅通孔进行薄膜沉积;步骤A3,用第二射频功率、第二气压对硅通孔进行薄膜沉积,重复步骤A2和A3,直至硅通孔内部薄膜覆盖率均匀,且达到所需的厚度。本发明的硅通孔深孔填充工艺,工艺设计简单合理,通过采用第一射频功率与第二射频功率交替进行薄膜沉积,提升了硅通孔深孔填充的薄膜覆盖率,可以完美的支持后续的电镀工艺,提高产能。

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