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一种高磁导率的非晶纳米晶合金的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201911395532.9
  • IPC分类号:C22C45/02;C22C38/10;C22C38/02;C22C38/16;C22C38/14;C22C38/12;C22C38/34;C22C38/32;C22C38/04;C22C38/06;C22C38/08;C22C38/60;C22C38/30;C22C38/20;C22C38/24;C22C38/26;C22C38/28;C22C38/22;C22C38/54;C22C38/52;C22C38/50;C22C38/42;C22C38/44;C22C38/46;C22C38/48;B22D11/06;C21D1/04;H01F1/153
  • 申请日期:
    2019-12-30
  • 申请人:
    宁波中科毕普拉斯新材料科技有限公司
著录项信息
专利名称一种高磁导率的非晶纳米晶合金的制备方法
申请号CN201911395532.9申请日期2019-12-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2020-04-24公开/公告号CN111057970A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C22C45/02IPC分类号C;2;2;C;4;5;/;0;2;;;C;2;2;C;3;8;/;1;0;;;C;2;2;C;3;8;/;0;2;;;C;2;2;C;3;8;/;1;6;;;C;2;2;C;3;8;/;1;4;;;C;2;2;C;3;8;/;1;2;;;C;2;2;C;3;8;/;3;4;;;C;2;2;C;3;8;/;3;2;;;C;2;2;C;3;8;/;0;4;;;C;2;2;C;3;8;/;0;6;;;C;2;2;C;3;8;/;0;8;;;C;2;2;C;3;8;/;6;0;;;C;2;2;C;3;8;/;3;0;;;C;2;2;C;3;8;/;2;0;;;C;2;2;C;3;8;/;2;4;;;C;2;2;C;3;8;/;2;6;;;C;2;2;C;3;8;/;2;8;;;C;2;2;C;3;8;/;2;2;;;C;2;2;C;3;8;/;5;4;;;C;2;2;C;3;8;/;5;2;;;C;2;2;C;3;8;/;5;0;;;C;2;2;C;3;8;/;4;2;;;C;2;2;C;3;8;/;4;4;;;C;2;2;C;3;8;/;4;6;;;C;2;2;C;3;8;/;4;8;;;B;2;2;D;1;1;/;0;6;;;C;2;1;D;1;/;0;4;;;H;0;1;F;1;/;1;5;3查看分类表>
申请人宁波中科毕普拉斯新材料科技有限公司申请人地址
浙江省宁波市镇海区中官西路1818号4号楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人宁波中科毕普拉斯新材料科技有限公司当前权利人宁波中科毕普拉斯新材料科技有限公司
发明人郭海;霍利山;门贺;马丽
代理机构宁波甬致专利代理有限公司代理人暂无
摘要
一种高磁导率的非晶纳米晶合金的制备方法,包括按照非晶纳米晶合金组分表达式中各种元素的含量称取,非晶纳米晶合金组分表达式为FeaCobSicBdCueMfM’g,其中M为V、Ta和Nb中的至少一种,M’为Ti、Zr、Hf、Ni、Ge、Cr、Mn、W、Zn、Sn、Sb、Mo、Y和Al中的至少一种,a、b、c、d、e、f和g分别表示对应元素的原子百分含量,并满足74≤a≤82,0.01<b≤5,5≤c≤15,4≤d≤13,0.2≤e≤1.5,1≤f≤4,0≤g≤1且a+b+c+d+e+f+g=100;熔炼母合金,制备非晶合金带材,磁场热处理得到非晶纳米晶合金材料。具有在100kHz频率下具有35000以上的有效磁导率,同时具有1.35T以上的饱和磁感应强度优点。

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